SK Hynix công bố chip NAND flash 4D có nhiều lớp xếp chồng nhất thế giới, lên tới 238 lớp với tốc độ 2,4Gbps

Mạc Danh | 05/08/2022 15:00

Chip NAND flash 4D 238 lớp của SK Hynix có tốc độ tăng 50% so với thế hệ trước, và tiết kiệm điện tới 21%.

Tại sự kiện Flash Memory Summit 2022, SK Hynix vừa mới công bố rằng họ đã phát triển thành công NAND flash có nhiều lớp nhất thế giới với số lượng lên tới 238 lớp. Ngoài ra, đây cũng là NAND flash có diện tích nhỏ nhất trên thế giới. Họ cũng đã gửi các mẫu sản phẩm NAND 4D TLC 512Gb (238 lớp) cho các khách hàng, với kế hoạch bắt đầu sản xuất đại trà vào nửa đầu năm 2023. Đây chính là thành tựu tiếp theo của SK Hynix sau khi giới thiệu NAND 176 lớp vào tháng 12/2020.

SK Hynix NAND 4D

Kể từ khi tung ra NAND 96 lớp vào năm 2018, SK Hynix đã giới thiệu thêm các sản phẩm 4D với hiệu năng vượt trội hơn hẳn so với loại 3D. Các sản phẩm 4D có tỷ lệ diện tích cell trên mỗi đơn vị (unit) nhỏ hơn so với 3D, cho nên nó cũng sẽ có hiệu suất (efficiency) cao hơn. Thêm vào đó, năng suất tổng (overall productivity) cũng tăng 34% so với NAND 176 lớp, vì SK Hynix có thể tạo ra nhiều con chip hơn trên cùng 1 tấm wafer (do có mật độ chip trên cùng 1 đơn vị diện tích cao hơn).

Tốc độ truyền dữ liệu của NAND 238 lớp đạt 2,4Gbps, tăng 50% so với thế hệ trước. Một ưu điểm nữa là nó còn tiết kiệm điện hơn khi đọc dữ liệu, cụ thể là giảm tới 21%.

NAND 238 lớp sẽ được ứng dụng vào trong các SSD client trước tiên, sau này mới được đem lên điện thoại thông minh và SSD dung lượng cao dành cho máy chủ. SK Hynix cũng sẽ giới thiệu NAND 238 lớp với dung lượng 1Tb vào năm 2023, và mật độ của nó dự kiến sẽ cao gấp đôi so với những con chip 512Gb hiện tại.


(0) Bình luận
SK Hynix công bố chip NAND flash 4D có nhiều lớp xếp chồng nhất thế giới, lên tới 238 lớp với tốc độ 2,4Gbps